Der südkoreanische Elektronikriese Samsung hat im chinesischen Xi’an eine neue Fertigungsstätte für Flash-Speicher in Betrieb genommen. Der Konzern verstärkt damit seine Fokussierung auf Memory-Halbleitertechnologien.
Die neue Produktionslinie soll künftig 3D V-Nand Flash-Memory-Chips fertigen, wie die Südkoreaner wissen lassen. Der Bau der rund 230.000 Quadratmeter grossen Fabrik hatte im September 2012 begonnen. Bis zu 100.000 12-Zoll Wafer sollen in der rund acht Mrd. US-Dollar teuren Anlage monatlich hergestellt werden. Die Testphase soll Ende dieses Jahres abgeschlossen sein. Schon seit letztem Jahr produziert Samsung die 3D V-Nand Flash-Memory-Chips - allerdings ohne diese in den Endprodukten des Unternehmens zu nutzen. Die Eröffnung der Fabrik in China ist ein weiterer Schritt des Elektronikkonzerns, um die Vormachtstellung in der Memory-Chip-Technik zu sichern.
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