Der südkoreanische Elektronikriese Samsung hat den Startschuss zur Massenfertigung von 128-Gigabyte DDR4-Modulen abgefeuert. Die industrieweit ersten DDR4 - (Double Data Rate-4) Memory-Chips mit "Through Silicon Vias" (TSV) Technologie sind für den Einsatz in Enterprise Servern und Rechenzentren gedacht und sollen High-Capacity Speicher gleichsam alltagstauglich werden lassen.
Der aktuellste Version der 128-GB TSV DDR4 RDIMMs (Registered Dual Inline Memory Module) besteht laut Angaben aus insgesamt 144 DDR4 Chips, die in 36 4GB-DRAM-Packages angeordnet und in 20-Nanometer gefertigt worden sind. Ziel der Südkoreaner sei es, eine bessere Signalübertragung durch eine bessere Platzierung der Elektroden zu erreichen, heisst es. Als Ergebnis sei eine Übertragungsgeschwindigkeit von bis 2.400 Mbps (Megabit pro Sekunde) bei deutlich weniger Stromverbrauch möglich. Samsung rechnet mit steigender Nachfrage nach DRAMs mit ultrahoher Kapazität.
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