Die US-amerikanische Mobile-Chipherstellerin Qualcomm will bei der Fertigung ihres neuen Mobile-Chips Snapdragon 835 mit dem südkoreanischen Elektronikriesen Samsung zusammenarbeiten und die Fertigung des Chips auf Basis der neuen 10-Nanometer-Prozesstechnik (FinFET Prozess) der Südkoreaner bewerkstelligen.
Gemäss Qualcomm-Angaben sei der neue 10nm FinFET Fertigungsprozess bis zu 30 Prozent effizienter und biete darüber hinaus auch eine 27 prozentige Performance-Verbesserung, bei gleichzeitig 40 Prozent weniger Stromverbrauch. Dadurch könnten Hardware-Hersteller ihre Geräte (Smartphones etc.) noch kleiner machen und andere Komponenten im Telefon oder Tablet integrieren.
Der neue Snapdragon 835 Mobile-Prozessor soll darüber hinaus auch die neue Quick Charge 4 Schnellladetechnik unterstützen und damit den Ladevorgang um 20 Prozent beschleunigen. Ferner sei diese Technik 30 Prozent effizienter als Quick Charge 3. Gleichzeitig unterstützt der neue Mobile-Prozessor den Angeben zufolge USB-C und USB Power Standards. Quick Charge 4 umfasst demnach auch die dritte Generation von INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), wodurch die Betriebsspannung bzw. thermische Belastung effektiver gemanagt werden könne. Und Qualcomm führt mit dem SMB1380 und dem SMB1381 auch noch zwei neue Power Management ICs ein, wodurch Schnellladefunktionen unterstützt werden.
Der Snapdragon 835 befindet sich nach Qualcomm-Angaben bereits in der Produktion und soll im ersten Halbjahr 2017 in den ersten Geräten zu finden sein. Der Snapdragon 835 gilt als Nachfolger des Snapdragon 820/21, der bereits in 200 Hardware-Designs zum Einsatz kommt.
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