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Der kalifornische Chipriese Intel hat gemeinsam mit Micron eigenen Angaben zufolge einen "Durchbruch" in der Speichertechnologie geschafft. Die 3D XPoint (Crosspoint gesprochen) genannten Chips sollen bis zu 1000 Mal schneller arbeiten als die bisher verwendeten Nand-Chips. Es handle sich um die erste wirkliche Neuerung im Markt für Speichermodule seit einem Vierteljahrhundert, verkünden die Kalifornier.

Der neue 3D XPoint Chip soll dabei nicht nur schneller sein, sondern könne auch kleiner gebaut werden und halte mehr Zugriffen stand. Darüber hinaus soll er kostengünstig produziert werden können. An der Technologie werde seit rund zehn Jahren gearbeitet. Intel hat die neuen Chips vor kurzem auf einer eigenen Veranstaltung erstmals präsentiert und will noch in diesem Jahr erste Samples an potenzielle Abnehmer liefern - eine Vorstufe der ab dem nächsten Jahr geplanten Massenfertigung in einem Micron-Werk im US-Bundesstaat Utah. Noch liessen die Partner allerdings offen, welche Materialien sie für die Fertigung der 3D XPoint Speichermodule nutzen - sicher ist nur, dass sie nicht auf dem klassischen Konzept der Transistoren basieren. Erste 3D-Xpoint-Chips sollen eine Kapazität von 16GB haben und 2016 auf den Markt kommen, wie ein Mitglied des Forschungsteams angab.

Wie genau 3D XPoint seinen Weg in Computer finden wird bzw. wie es eingebunden werden soll, ist derzeit noch unklar, da selbst die schnellen PCIe-Schnittstellen nicht das volle Potenzial der Chips ausnutzen können. Aus diesem Grund dürften wohl neue Arten der Schnittstellen entwickelt werden, was wiederum zu neuen Mainboard-Architekturen führen könnte.

Die neuen Speichrchips bestehen aus perpendikulären, also dreidimensional im Lot verlaufenden Leiterbahnen, die in der ersten Entwicklungsstufe 128 Milliarden eng gepackte Speicherzellen verbinden. Jede dieser Zellen speichert ein einzelnes Bit. Durch eine solch kompakte Struktur wird den Intel-Angaben gemäss eine hohe Performance und eine sehr hohe Dichte erzielt. Die einzelnen Zellen werden abgerufen, beschrieben oder gelesen indem eine unterschiedlich hohe Spannung zu jedem der sogenannten "Selektoren" geschickt wird. Dadurch fällt die Notwendigkeit von Transistoren weg und man senkt gleichzeitig die Kosten - so dass der neue Speicher letztlich günstiger sein soll als klassische NAND-Flash-Module.



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