Der südkoreanische Elektronikriese Samsung liefert erste Muster für seinen neuesten KI-Speicherchip aus. Der Konzern hat offiziell mit der Verteilung von Mustern des 12-Schichten-HBM4E-Chips an globale Kunden begonnen. Der Chip ist den Angaben nach mehr als 20 Prozent schneller als das Vorgängermodell HBM4. Die Speicherbausteine erreichen demnach eine Rate von 16 Gbit/s pro Pin (Gesamtbandbreite von 4,0 TB/s).
Gefertigt wird der neue KI-Speicherchip im modernen 1c-DRAM-Verfahren (10-Nanometer-Klasse der 6. Generation) kombiniert mit einer 4-Nanometer-Logik-Basis aus eigener Fertigung. Erste Abnehmer für die Testmuster sind grosse KI-Akteure wie Nvidia, AMD und Google.
Mit dieser schnellen Bemusterung – nur drei Monate nach dem Start der HBM4-Massenproduktion im Februar – setzt sich Samsung im engen Wettlauf um die Marktführerschaft bei KI-Speichern vorerst vor den Konkurrenten SK Hynix.
Der technische Unterschied zwischen Samsung und SK Hynix beim neuen HBM4/HBM4E-Speicher liegt vor allem in der Fertigungsstrategie (All-in-One vs. Allianz), dem Produktionsprozess der DRAM-Schichten sowie der Verpackungstechnologie (Packaging). Während Samsung auf maximale Performance durch die neuesten Technologien setzt, fokussiert sich SK Hynix auf bewährte Prozesse für eine hohe Ausbeute (Yield).
Samsung nutzt dabei seine Position als Konzern, der Speicherentwicklung, Chip-Design und eigene Giessereien (Foundries) unter einem Dach vereint. SK Hynix hingegen konzentriert sich rein auf den Speicher und lagert die komplexe Logik-Basisschicht an den weltweit führenden Auftragsfertiger TSMC aus.
