Der US-amerikanische Halbleiterhersteller Everspin mit Sitz in Chandler im Bundesstaat Arizona hat mit dem ST-MRAM-IC EMD3D256M einen Chip vorgestellt, der statt dem bisherigen Höchstwert von 64 MBit bei bei MRAM-Chips über eine nun vier Mal so hoche Speicherdichte von 256 MBit verfügt. Ende des Jahres will der einzige Hersteller dieser nichtflüchtigen Speichertechnologie den Wert erneut vervierfachen, und zwar auf dann 1 GBit.
Basis des hochkapazitiven Memory-Chips, der derzeit von globalen Kunden getestet werde, wird in der Volumenfertigung Everspins proprietäre pMTJ-ST-MRAM-Technologie (perpendicular magnetic tunnel junction spin torque) sein. Der 256-MBit-MRAM-Chip ist Everspins erster ST-MRAM-Baustein, der beim Partner Globalfoundries auf einem 300-mm-Wafer gefertigt wird. In puncto Zugriffszeiten entspricht die Performance der von DDR3/DDR4-RAM-Chips, im Vergleich mit NAND-Flash ist die Schreibgeschwindigkeit 100.000-fach höher. Dafür haben die höchstkapazitiven 3D-NAND-Chips von Samsung und Toshiba mit 256 GBit das 1000-fache Speichervermögen. Bislang hat Everspin mehr als 60 Millionen MRAM-Chips (diskrete und embedded) abgesetzt. Hauptmärkte sind Datencenter, Cloudspeicher, Automotive und das Transportwesen.
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